Processus et emballage de fabrication des diodes

Processus de fabrication des diodes et emballage:

Alliage et diodes diffusées – Deux techniques couramment utilisées pour le processus de fabrication de diodes et l’emballage sont la méthode d’alliage et la méthode de diffusion.

Pour construire une diode en alliage, une jonction PN est formée en faisant fondre un minuscule culot d’aluminium (ou une autre impureté de type P) à la surface d’un cristal de type N. Alternativement, une impureté de type N peut être fondu à la surface d’un cristal de type P. Le processus est illustré sur la figure 7-5 (a).

Processus et emballage de fabrication des diodes

La figure 7-5 (b) montre la technique de diffusion pour le processus et l’emballage de fabrication des diodes. Lorsqu’un semi-conducteur de type N est chauffé dans une chambre contenant une impureté accepteur sous forme de vapeur, certains des atomes accepteurs sont diffusés (ou absorbés) dans le cristal de type N.

Cela produit une région p dans le matériau de type n et crée ainsi une jonction PN. La taille de la région P peut être définie avec précision en ne découvrant qu’une partie du matériau de type N pendant le processus de diffusion (le reste de la surface a un revêtement mince du dioxyde de silicium). Les contacts métalliques sont électroplés sur chaque région pour connecter les fils.

La technique de diffusion se prête à la fabrication simultanée de plusieurs centaines de diodes sur un petit disque de matériau semi-conducteur. Ce processus est également utilisé dans la production de transistors et de circuits intégrés.

Emballage de diode:

Comme discuté déjà, les diodes semi-conductrices varient considérablement en taille, selon leur application. La figure 7-6 montre des packages à diodes uniques typiques pour les dispositifs de courant faible, moyen et élevé. Sur la figure 7-7, plusieurs packages de diodes sont illustrés.

Deux diodes dans un package de montage de surface sont représentées sur la figure 7-7 (a), et deux dans un ensemble de type Power-Transistor sont illustrés sur la figure 7-7 (b). Remarquez dans les circuits que les bornes cathodiques sont communes en interne dans chaque cas.

Processus et emballage de fabrication des diodes

Un assemblage de redresseur est illustré sur la figure 7-7 (c). Il s’agit de quatre diodes connectées pour fonctionner comme un redresseur de pont et contenue dans un seul package. Un côté de l’emballage a une plaque métallique pour le montage sur un dissipateur de chaleur.

Les deux bornes de sortie sont identifiées comme + et -, et les deux autres bornes sont pour l’entrée AC.

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